这些特性使SSM2220成为要求苛刻的低噪声前置放大
发布时间:2019-04-11 23:39

  通过间断地向司机发送嘟嘟声和发射闪烁光,使司机保持在惊醒状态。提醒器只在夜间工作,白天自动关闭。

  LDR1和两只BC548晶体管(T1和T2)构成光开关,在白天可禁止IC1振荡。电位器VR1用来调节LDR1的灵敏度。由于LDR1在白天受到光线照射,其电阻降低后使T1导通,T2截止,因而T2输出高电位。使IC1的(12)脚也维持在高电位,禁止IC2振荡。

  在夜间,IC1开始振荡,同时由LED1闪烁来指示这一状态。二进位计数器CD4060的内部振荡频率可由R5、R6和C1调整。IC1振荡后,其输出脚Q13每隔15分钟交替地变高和变低。

  在IC1输出Q13变高期间,振荡器芯片NE555(IC2)的复位脚④变为高电位,IC2开始振荡。对于图中所示的元件值,振荡周期为每50秒送出一个脉冲。调整VR2,可以在小范围内改变脉冲周期。IC2的脉冲输出至芯片CD4017(IC3)的时钟输入端

  IC3是一块有10个输出端的十进计数器.其10个输出中每次只有1个输出处于高电位。IC2的输出作为IC3的时钟输入,因此.IC2的第一个上升沿抵达后的50秒之后。IC3的Q1输出端变高。经6分钟后.Q6输出变高。LED2发光一分钟,同时蜂鸣器PZ1发声。

  如果电路没有用开关S1复位,则在听到从PZ1发出的嘟嘟声后,IC3可继续计数。并在第10分钟结束时使Q9变高,以激活芯片CD4093(IC4)。IC4利用了其内部的两个与非门N3和N4构成简单的振荡器.与非门N1则受其两个输入脚①和②的状态控制。当这两个引脚收到IC3送来的高输出电位时,N1的输出就变低.与非门N2的输出就变高。使N3、N4振荡器振荡。振荡频率由R13和C3的值决定。

  只要IC3的Q9维持在高电位(即15分钟期间),IC4就振荡,压电蜂鸣器就鸣叫,同时白色LED3、LED4和LED5就以R13和C3值决定闪烁频率。之后另一个15分钟期间,IC4停止振荡,压电蜂鸣器和LED都关断。这样的状态每隔15分钟循环一次.这足以提醒想打瞌睡的驾驶员。IC5和C4为电路提供稳定的12V电压。

  安装时应将IDR1远离几只LED.免得LED的光线的正常工作。取车内电源时,应从点火开关处取出。使防睡提醒器只在车辆行驶时才起作用。

  假设这个商场的第一间商店专营电子产品,我们能在那里找到很多利用光电效应的商品。贵重物品装有的报警器、....

  AS179-92LF是一个PHEMT砷化镓场效应晶体管单刀双掷(SPDT)开关。该装置具有插入损耗低....

  本书是由美国业余无线电协会(ARRL)出版的《Understanding Basic Electro....

  表头的特点:表头的准确度等级为1级(即表头自身的灵敏度误差为±1%),水平放置,整流式仪表,绝缘强度....

  本书以实用为出发点,用通俗易懂的语言介绍了指针式万用表和数字万用表的基本知识、使用方法和实用测技术及....

  这款设备被称为CRISPR-Chip,可用于快速诊断遗传疾病或评估基因编辑技术的准确性。

  ME2306A是采用高单元密度DMOS沟道技术的N通道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺特别....

  晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变....

  本文档的主要内容详细介绍的是20种开关电源拓扑结构的优缺点对比详细资料合集免费下载。

  发射极的交流电位与GND等效,输入信号全部加在R2上? 不经过R3吗?这是晶体管电路设计书上的一个电路图...

  上世纪八十年代的升学名额有限,我因为英语考得不好导致总分差了10来分而未能继续升学。当时考虑是就此回家种地还是另谋出路?也...

  金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconduct....

  本书是“实用电子电路设计从书”之一,共分上下二册。本书作为上册主要内容有晶体管工作原理,放大电路的性....

  晶体管电路设计MOS开关实验解析铃木雅臣下PDF版中文版电子书免费下载

  本书是“实用电子电路设计丛书”之-一,共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的....

  什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体...

  复旦大学物理学系教授 修发贤:我们利用了氯化铌,利用了砷还有氢气三种元素把它们放在一起进行化学反应来....

  1、负载变重是什么意思? 百度说 负载变重,即负载电阻变小。所需电流变大。 2、上述图片讲述波形被切去的原因看不明白,求具...

  但业界近期已纷纷对功率半导体产业发出预警,强调需求端受到中美贸易战影响,库存水位升高,相关供应商不断....

  您好,我重复使用设计指南“HB1Tone_Loadpull”,我已经放置了我的PA(具有正确的偏置)而不是晶体管。 如果我填写:“S...

  1. 芯片、器件、电路、微芯片或条码:所有这些名词指的是在晶圆表面占大部分面积的微芯片图形。....

  奇晶光电出现供应问题且不再供应AMOLED显示器后,问题开始显现。日本精工株式会社提供了一款薄膜晶体....

  几十年来在音频领域中,A 类、B 类、AB 类音频功率放大器一直占据“统治”地位,其发展经历了这样几....

  IRSM808-105MH适用于小型电器电机驱动应用的半桥IPM数据手册

  IRSM808-105MH是一个10A,500V半桥模块,设计用于先进的设备电机驱动应用,如节能风扇....

  本文档的主要内容详细介绍的是半导体集成电路的三个经典问题资料说明包括了:1.名词解释:隐埋层,寄生晶....

  8050芯片手册,三极管有时在电路里做为对管来使用,也有的做单管应用。在有些电路里对S8050放大倍....

  CHMSL代表中央高位刹车灯,安装在车辆左侧和右侧制动车灯(也称为刹车灯)的上方。根据美国国家高速公路交通安全管理局的规...

  J1 12V输入,J2 CAMERA 的IR-CUT切换信号反馈输出 ;CSD1光敏电阻,我的问题是Q3这个晶体管的作用是什么?...

  本文档的主要内容详细介绍的是S9012LT1 PNP管型三极管SOT-23塑料封装晶体管的数据手册免....

  AOD407采用先进的沟道技术,提供优良的RDS(开),低栅极电荷和低栅极电阻。由于DPAK封装具有....

  本文档的主要内容详细介绍的是电子封装材料与工艺的学习笔记详细资料免费下载包括了:第一章 集成电路芯片....

  除了提供迄今为止最高的量子体积之外,IBM Q System One 的性能还反映了 IBM 所测量....

  理论上,石墨烯可以通过切割微小的图案来完成电子、光子学或传感器等许多不同的任务,因为这从根本上改变了....

  顾名思义,开关电源就是利用电子开关器件(如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等),通过控制电路,使电子开....

  2019年2月15日,英国国际战略研究所发布《军事平衡2019》研究报告。本文简单介绍其中“量子计算....

  本文简述了金属探测器的基本原理、类型及应用范围,着重介绍了各类感应式金属探测器的检测电路.对影响金属....

  高科技从2014年到2018年,增长率都在0以上。最近这一年,还大幅向上走。传统行业一半在0以上,一....

  从集成电路的历史、产业分工、分类、设计、制造、封装、测试等方面,多维度全面解读集成电路产业链和相关技....

  和特点 高电压:可在高达 72V 工作可同步工作频率和输出开关相位适用于多控制器系统固定频率操作至 350kHz自适应和可调节型消隐同步整流器驱动器局部 1% 电压基准具迟滞的欠压闭锁保护输入过压保护可编程起动禁止变压器主端饱和保护光耦合器反馈支持软启动控制 产品详情 LT®1681 控制器简化了高功率同步双晶体管正激式 DC/DC 转换器的设计。该器件采用固定频率电流模式控制,并且支持隔离式和非隔离式拓扑。这款 IC 驱动外部 N 沟道功率 MOSFET,采用高达 72V 的输入电压工作。LT1681 的工作频率是可编程的,并可同步至高达 350kHz。另外,开关相位在同步操作期间也是受控的,以适应多转换器系统。内部逻辑电路可保证 50% 最大占空比操作以防止发生变压器饱和。LT1681 拥有一种软启动功能,该功能在启动期间以及欠压闭锁或过压 / 过流事件之后提供受控型增加的供电电流。 该器件采用 20 引脚宽体 SO 封装,以支持高电压引脚至引脚间距。应用隔离式电信系统个人计算机和外设铅酸电池备份系统汽车和重型设备 方框图...

  和特点 高电压操作:达 72V可同步工作频率和输出开关相位用于多控制器系统同步开关输出具有 6V 迟滞的欠压闭锁保护用于自偏置电源固定频率操作至 350kHz局部 ±1% 电压基准输入过压保护低启动电流可编程起动禁止用于电源排序和保护光耦合器支持软启动控制 产品详情 LT®3781 控制器简化了高功率同步双晶体管正激式 DC/DC 转换器的设计。该器件运用固定频率电流模式控制,并支持隔离式和非隔离式拓扑。这款 IC 驱动外部 N 沟道功率 MOSFET,而且可在输入电压高达 72V 的情况下工作。通过采用一个大的欠压闭锁迟滞范围,LT3781 非常适合由输出得到电源的方案。另外,该器件还配有一个 18V VCC 并联稳压器,这可防止在缓慢启动应用中超过绝对最大额定值。 LT3781 的工作频率是可编程的,并可同步至高达 350kHz。在同步化操作期间开关相位也是受控的,以适应多转换器系统。内部逻辑电路可保证 50% 最大占空比操作,以防止发生变压器饱和。LT3781 采用 20 引脚 SSOP 封装。应用隔离式电信系统个人计算机和外设分布式电源降压型转换器铅酸电池备份系统汽车和重型设备 方框图...

  和特点 低电压噪声(100 Hz):1 nV/√Hz(最大值) 高增益带宽:190 MHz(典型值,C = 1 mA,165典型值) 精密增益匹配:3%(最大值) 出色的对数一致性:rBE = 0.3 Ω(典型值) 低失调电压:200 µV(最大值)产品详情 SSM2220是一款双通道PNP匹配晶体管,针对音频应用而优化。SSM2220具有超低的输入电压噪声,在整个音频带宽20 Hz至20 k Hz范围内典型值仅为0.7 nV/√Hz。该器件具有低噪声和高带宽(190 MHz)的特点,其失调电压为200 u V(最大值),这些特性使SSM2220成为要求苛刻的低噪声前置放大器应用的理想选择。 SSM2220还具有出色的电流增益(ΔhFE)匹配,约为0.5%,可帮助减少高阶放大器的谐波失真。此外,为确保匹配参数的长期稳定性,基极-发射极结上的内部保护二极管被用于箝位任何反向基极-发射极结电位,防止基极-发射极击穿,以免过大的击穿电流导致增益和匹配性能下降。SSM2220提供8引脚塑封双列(PDIP)和8引脚标准小型(SOIC)两种封装,可在−40°C至+85°C扩展工业温度范围内保证性能和特性。 方框图...

  和特点 极低电压噪声:1nV/√Hz(最大值,100Hz) 出色的电流增益匹配: 0.5% 低失调电压(VOS):200 μV(最大值) 出色的失调电压漂移:0.03μV/ºC 高增益带宽积:200MHz产品详情 SSM2212是一款双通道NPN匹配晶体管对,专门针对超低噪声音频系统而设计。该器件具有极低的输入基极分布电阻(rbb典型值为28 Ω)和高电流增益(IC= 1 mA时,hFE典型值超过600),可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比,它拥有卓越的性能。电流增益的匹配(ΔhFE约为0.5%)且VOS低于50 μV(典型值),这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择,可抑制高阶放大器谐波失真。基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。TSSM2212同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外,由于晶体管对之间的VBE不匹配时,电流镜的精度会呈指数级下降,因此,在多数电路应用中,SSM2212的低VOS无需进行失调调整。SSM2212可在-40ºC至85ºC的扩展温度范围内保证实现其出色的性能和额定特性。 方框图...

  和特点 极低电压噪声:1nV/√Hz(最大值,100Hz) 出色的电流增益匹配:0.5%(典型值) 低失调电压(VOS):200 µV(最大值) 出色的失调电压漂移:0.03 µV/°C(典型值) 高增益带宽积:200 MHz产品详情 MAT12是一款双通道NPN匹配晶体管对,专门针对超低噪声音频系统而设计。该器件具有极低的输入基极分布电阻(rbb典型值为28 Ω)和高电流增益(IC = 1 mA时,hFE典型值超过600),可以实现卓越的信噪比。与采用市面有售的单芯片放大器的系统相对,高电流增益可以带来出色的性能。MAT12具有出色的电流增益匹配(ΔhFE约为0.5%)和较低的VOS(典型值为10 µV),是有利于减少高阶放大器谐波失真的对称平衡设计的理想选择。基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。MAT12同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外,由于晶体管对之间的 VBE不匹配时,电流镜的精度会呈指数级下降,因此,在多数电路应用中,MAT12的低VOS 无需进行失调调整。MAT12是MAT02出色的替代产品,其性能和特性可在−40°C至+85°C的扩展温度范围内...

  和特点 双通道匹配PNP晶体管 低失调电压: 100 µV(最大值) 低噪声: 1 nV/√Hz(最大值,1 kHz) 高增益: 100(最小值) 高增益带宽:190 MHz(典型值) 精密增益匹配: 3%(最大值)产品详情 MAT03双通道单芯片PNP晶体管提供出色的参数匹配和高频性能。低噪声特性(1 kHz时最大值为1 nV/√Hz)、高带宽(典型值190 MHz)和低失调电压(最大值100 µV)使MAT03成为要求苛刻的前置放大器应用的绝佳选择。它能够在非常宽的集电极电流范围内提供精密电流增益匹配(最大不匹配为3%)和高电流增益(最小值100),因而非常适合电流镜应用。此外,低体电阻(典型值0.3 Ω)使MAT03同样是要求精确对数一致性应用的理想之选。 每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。在25°C和扩展工业及军用温度范围内保证器件性能。为确保匹配参数的长期稳定性,基极-发射极结上的内部保护二极管会箝位任何反向基极-发射极结电位,防止基极-发射极击穿,以免过大的击穿电流导致增益和匹配性能下降。 方框图...

  和特点 低VOS(VBE匹配): 40 μV(典型值);100 μV(最大值) 低TCVOS: 0.5 μV/°C(最大值) 高hFE: 500(最小值) 出色的hFE线 mA 低噪声电压: 0.23 μV p-p(0.1 Hz至10 Hz) 高击穿电压: 45 V(最小值) 产品详情 MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h,包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益,适合在低功耗、低电平输入级中使用。 方框图...

  和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...

  漫天雪花舞,奋进脚步疾。2月18日上午,航空港实验区2019年第一批重点项目集中开工仪式在华润电力郑....

  深入实施数字经济“一号工程”。坚持数字产业化、产业数字化,全面实施数字经济五年倍增计划,深入推进云上....

  XX nm制造工艺是什么概念?芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、....

  晶体管的问世,是20世纪的一项重大发明,是微电子革命的先声。晶体管出现后,人们就能用一个小巧的、消耗....

  由于消费者对安全、舒适、便利和娱乐的需求,汽车电子内容继续以强劲的速度增长。随着这一趋势的出现,汽车....

  电子元器件改变人类的生活,需要三个层面的技术:第一层是电子元器件的设计生产,第二层是利用电子元器件实....

  本文档的主要内容详细介绍的是最新世界晶体管代换手册的详细资料合集免费下载 电路设计三极管选型、电器维....

  为了实现低电压(0.5V)工作的高离子/低衰减比(106)隧道场效应晶体管(tfets),在源区使用....

  ULN2003是一个单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路。它是由7对NPN达林顿管组成的,它....

  假设有2个人,一个人输入0,一个人也输入0,那么经过与门计算后,它会得到0。只有在2个人都输入1的情....

  本文档详细介绍的是Altium Designer18的操作方法教程资料免费下载主要内容包括了:一、绘....

  集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始,那时候只有两个晶体管组成一个反相器....

  严格意义上来讲,毫米波对应的无线GHz 。但是实际上,毫米波只是个约定俗....

  《你好,放大器(初识篇)》是《你好,放大器》的初识篇,是学习放大器的入门书。第1章介绍放大器的历史和....

  本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3400 MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载。

  本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3400S MOSFET N通道封装晶体管的数据手册免费下载

  本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3401封装MOSFET晶体管数据手册免费下载。

  本文档的主要内容详细介绍的是SYKJ3402S封装晶体管MOSFET(N通道)的数据手册免费下载。